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厂商型号

KSC945CYBU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil

内部编号

3-KSC945CYBU

#1

数量:30723
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:30723
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
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KSC945CYBU产品详细规格

规格书 KSC945CYBU datasheet 规格书
KSC945
KSC945CYBU datasheet 规格书
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 1mA, 6V
功率 - 最大 250mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.15
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 300(Typ)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 250
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 120@1mA@6V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 150mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 10mA, 100mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 1mA, 6V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 KSC945CYBU_NL
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 40
直流电流增益hFE最大值 700
单位重量 0.006286 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.15 V
集电极最大直流电流 0.15 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.15 A
增益带宽产品fT 300 MHz
最大功率耗散 250 mW
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 55 C

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